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四探针法测电阻率,四探针法测薄膜电阻率

推荐 时间:2020-02-09

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本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
 

本文来源:http://www.tuzhexing.com/content/1004623/

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